IRF6613TR1PBF產品參數

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

詳細描述：表面貼裝 N 溝道 40V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET?

包裝：帶卷（TR）

零件狀態：停產

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：23A（Ta），150A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.4 毫歐 @ 23A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：63nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：5950pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：DIRECTFET? MT

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT

標準包裝：1,000

其它名稱：IRF6613TR1PBFTR SP001528336

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）