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品牌:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
詳細描述:表面貼裝 N 溝道 100V 5.4A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
制造商:Vishay Siliconix
系列:TrenchFET?
包裝:帶卷(TR)
零件狀態:停產
FET 類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 7.9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA(最?。?/p>
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):44nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.8W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
供應商器件封裝:8-SO
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
標準包裝:2,500
其它名稱:SI4486EY-T1-E3TR
專業IC領域供求交易平臺:提供全面的IC Datasheet資料和資訊,Datasheet 1000萬數據,IC品牌1000多家。